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TRW5065CH1

TRW5065CH1

TRW5065CH1是50A,650V高可靠性IGBT,具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点。

主要特征

  • 50A,650V , VCE(sat)=1.8V @IC=50A
  • 饱和压降为正温度系数,易于并联使用
  • 低导通损耗
  • 内置SiC二极管
  • 高速开关特性
  • 高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性

图片名称

极限参数

除非另有说明 , TA = 25ºC

符号

参数

参数范围

单位

VCE

集电极—发射极电压

650

V

栅极-发射极电压

±20

V

IC

集电极电流 (TC=25℃)

80

A

集电极电流 (TC=100℃)

50

A

ICpulse

集电极脉冲电流

150

A

IF

二极管正向电流(Tj=150℃)

20

A

Ptot

耗散功率 (TC=25℃)

259

W

耗散功率 (TC=100℃)

129

W

参数

VCE

VCE(sat)

VF

Tj,Max

Eon

Eoff

值

650V

1.8V

1.5V

175°C

1.6mJ

1.2mJ

图片名称

典型应用

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封装外形图

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TO-247

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