T3LD1006W2S1

电气特性

• 低VCE(sat)
• 低开关损耗
• 内置快恢复二极管
• Tvj op=150°C
• VCE(sat)带正温度系数

机械特性

•  高功率循环和温度循环能力
• 紧凑型设计
• 内置NTC温度传感器
• 集成的安装夹使安装坚固
• 标准封装

极限参数

除非另有说明 , 否则TA = 25ºC

IGBT  逆变器T1-T4 IGBT极限参数(Tj = 25ºC, 除非另有说明  )

符号	参数	参数范围	单位
VCES	集电极—发射极电压	650	V
VGES	栅极-发射极电压	±20	V
IC	连续集电极电流 (TC=95℃ ),Tvj max=175°C	100	A

符号	参数	参数范围	单位
ICpuls	集电极脉冲电流 (tp=1ms)	300	A
Ptot	耗散功率(Tc=25°C),Tvjmax=175°	300	W

D1-D6 FRD极限参数(Tj = 25ºC, 除非另有说明 )

符号	参数	参数范围	单位
VRRM	反向重复峰值电压	650	V
IF	连续正向直流电流	150	A
IFRM	正向重复峰值电流	300	A
I²t	I²t值I²t-Value	930	A²S

典型应用

封装外形图

EASY2B

接线图

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